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数字后端RC corner 对timing的影响

发布时间:2026/9/25 2:11:50

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数字后端RC corner 对timing的影响

数字后端RC corner 对timing的影响
IC 后端 corner 介绍_rcbest对应ff-CSDN博客运行“report_timing”或“report_timing_summary”命令后会注意到 WNS、TNS、WHS 和 THS。WNS 代表最差负时序裕量 (Worst Negative Slack)TNS 代表总的负时序裕量 (Total Negative Slack)也就是负时序裕量路径之和。WHS 代表最差保持时序裕量 (Worst Hold Slack)THS 代表总的保持时序裕量 (Total Hold Slack)也就是负保持时序裕量路径之和NVP Number of Violating Paths影响cell delay的因素主要有工艺电压和温度三种PVT,性能影响见下图由此产生各种cornerwcworst case slow低电压高温度慢工艺 - 一般情况下delay最大setup 差。wclworst case low-temperature低电压低温度慢工艺 -温度反转效应时delay最大setup差。lt即low-temperature也叫bcbest case fast高电压低温度快工艺 - 一般情况下delay最小hold差。mlmax-leakage高电压高温度快工艺 。温度反转效应下delay最小hold差。tctypical也叫tt普通电压普通温度标准工艺 - 各种typical。这里的快、慢和标准工艺指manufacture时的N/PFET的驱动电流值min对应慢工艺max对应快工艺。温度反转就是指在深亚微米的工艺下有可能出现在低温时cell delay反向变化的情况。详情参见(9条消息) 【芯片设计】温度对阈值电压的影响温度翻转效应发生的原因_芯片后端工程师-ratel的博客-CSDN博客具体到corner里就是wcl的跑出来setup结果比wc的还差相应ml的hold结果比lt的更差。所以一般signoff标准就要包括wcl和ml也就是考虑了温度反转的情况PVT 组合版权声明本文为博主原创文章遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议转载请附上原文出处链接和本声明。原文链接https://blog.csdn.net/m0_61003348/article/details/130390598
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