锂电池设备里做双电源切换很多人第一反应是找现成的电源切换芯片或者用两个二极管直接并联。前者成本高、交期长后者压降大、发热明显尤其是锂电池供电的低压场景一个二极管压降就能吃掉不少宝贵的电压余量。实际上用三个MOS管搭一套自动切换电路成本低、效率高、静态功耗小是很多便携设备里已经在用的成熟方案。这篇文章就把这套电路的来龙去脉讲清楚从MOS管的基本导通条件讲起到三个管子各自的分工、参数怎么选、实测中容易踩的坑最后给出一套可以直接照着搭的电路框架。不管你是刚接触MOS管的新手还是想找一个可靠切换方案的老手都能从里面找到能直接用的东西。1. 先搞清楚双电源切换到底在切什么1.1 两种供电来源的典型场景锂电池供电设备里出现双电源通常有这么几种情况。第一种是设备既能用内置锂电池供电又能插外部适配器供电插上适配器时优先用适配器同时给电池充电拔掉适配器时自动切回电池。第二种是设备有两块电池主电池和备用电池主电池电量耗尽或者被拔掉时自动切到备用电池保证系统不断电。第三种是锂电池和USB供电共存比如很多便携仪器插USB时用USB的电不插时用电池。这几种场景的共同需求是两路电源不能同时向负载供电导致互相倒灌切换过程要快、要平滑不能出现负载掉电重启同时静态功耗要低因为电池设备待机时最怕漏电。1.2 为什么不用二极管直接并联最简单的双电源方案是两路各串一个二极管然后并在一起。这个方案确实能工作二极管天然的单向导电性可以防止倒灌。但问题在于压降。普通硅二极管正向压降在0.6到0.7V肖特基二极管好一些也有0.3到0.4V。对于3.7V的锂电池来说0.4V的压降意味着负载端只能拿到3.3V左右电池的电压范围是4.2V到3.0V压降之后负载端可能只有2.6V很多芯片的最低工作电压都到不了。更麻烦的是发热。假设负载电流1A肖特基二极管上就要消耗0.4W封装小一点的管子直接烫手长时间工作可靠性堪忧。所以二极管方案只适合电流很小、对压降不敏感的场合。1.3 MOS管方案的核心优势MOS管的导通电阻可以做到毫欧级别比如常见的AO3401导通电阻在几十毫欧通过1A电流时压降只有几十毫伏功耗不到0.05W和二极管方案差了一个数量级。而且MOS管是电压控制型器件栅极几乎不耗电静态功耗可以做到微安级别。用三个MOS管一个负责主电源的通断一个负责备用电源的通断第三个负责切换控制逻辑就能实现自动、低损耗、防倒灌的双电源切换。2. 三个MOS管各自扮演什么角色2.1 主电源通道的PMOS高侧开关主电源通道通常用一个PMOS管做高侧开关。为什么用PMOS而不是NMOS因为在高侧开关场景里NMOS要做高侧开关需要栅极电压高于源极电压而源极接的是电源正极栅极需要比电源还高的电压才能完全导通这就需要额外的电荷泵或者自举电路复杂度和成本都上去了。PMOS则简单得多源极接电源正极栅极拉低到地就能导通栅极拉到源极电压就关断控制逻辑非常直接。PMOS的源极接主电源正极漏极接负载端栅极通过一个电阻拉到地同时受切换控制信号控制。当主电源存在时栅极被拉低PMOS导通主电源向负载供电。当主电源消失时栅极被拉到源极电压PMOS关断主电源通道断开。2.2 备用电源通道的PMOS高侧开关备用电源通道的结构和主电源通道完全对称也是一个PMOS高侧开关。源极接备用电源正极漏极接同一个负载端栅极控制逻辑和主电源相反。主电源存在时备用通道的PMOS关断备用电源不输出。主电源消失时备用通道的PMOS导通备用电源接管供电。这里有一个关键点两个PMOS的漏极是接在一起的都接到负载端。当其中一个导通时另一个必须可靠关断否则两路电源就会通过导通的MOS管倒灌。PMOS的体二极管方向是从漏极到源极也就是说即使PMOS关断体二极管仍然可能导通。所以两个PMOS的源极和漏极方向必须接对让体二极管的方向和电源输入方向相反这样才能在关断时真正阻断倒灌。2.3 第三个MOS管做切换控制与电平转换第三个MOS管通常是NMOS作用是检测主电源的存在与否并产生控制信号去驱动两个PMOS的栅极。具体来说主电源经过一个分压电阻网络接到NMOS的栅极当主电源存在时NMOS导通把主电源通道PMOS的栅极拉低使其导通同时把备用通道PMOS的栅极拉高到备用电源电压使其关断。当主电源消失时NMOS关断主电源通道PMOS的栅极被上拉电阻拉到源极电压而关断备用通道PMOS的栅极被下拉电阻拉低而导通。这个NMOS还起到电平转换的作用因为主电源和备用电源的电压可能不同直接用主电源的电压去驱动备用通道的PMOS栅极可能不够可靠通过NMOS和电阻网络的配合可以确保两个PMOS的栅极都能被拉到正确的电平。3. MOS管导通条件的底层逻辑3.1 NMOS和PMOS的导通条件差异NMOS的导通条件是栅源电压Vgs大于阈值电压Vth且漏极电位高于源极电位。在开关应用中NMOS通常用作低侧开关源极接地栅极给高电平就导通。PMOS的导通条件是栅源电压Vgs小于阈值电压Vth注意PMOS的Vth是负值且源极电位高于漏极电位。PMOS通常用作高侧开关源极接电源正极栅极给低电平就导通。理解这个差异是设计切换电路的基础。很多人第一次画PMOS电路时会把源极和漏极接反结果发现电路要么一直导通要么一直关断就是因为没搞清楚PMOS的体二极管方向和导通条件。3.2 阈值电压与完全导通的区别阈值电压Vth只是MOS管开始导通的临界点此时沟道刚刚形成导通电阻还很大。要让它完全导通Vgs需要远大于Vth。对于PMOSVgs需要远小于Vth比如Vth是-1V那么Vgs要到-4.5V甚至更低才能让导通电阻降到标称值。在锂电池供电场景里主电源电压是4.2V到3.0V如果PMOS的栅极只能拉到地那么Vgs就是-4.2V到-3.0V对于Vth为-1V的PMOS来说这个驱动电压是足够的。但如果电源电压更低比如2.5V而PMOS的Vth是-1.5V那么Vgs只有-2.5V导通电阻就会明显增大压降和发热都会上来。所以选PMOS时要特别注意Vth和电源电压的匹配。3.3 体二极管在切换电路中的双刃剑作用每个MOS管内部都有一个寄生体二极管方向是从源极到漏极NMOS或从漏极到源极PMOS。在切换电路里这个体二极管既是麻烦也是可以利用的特性。麻烦在于即使MOS管关断体二极管仍然可能导通导致两路电源通过体二极管倒灌。所以在双电源切换电路里两个PMOS的源极和漏极方向必须仔细安排让体二极管的方向和电源输入方向相反这样关断时体二极管才能起到阻断作用。可以利用的地方在于体二极管可以在MOS管完全导通之前提供一条预充电路径让负载端的电容先被缓慢充电避免切换瞬间的浪涌电流。不过这个效果比较微弱实际设计中更多还是靠软启动电路来解决浪涌问题。4. 三个MOS管的具体电路连接4.1 主通道PMOS的连接细节主通道PMOS的源极接主电源正极漏极接负载正极栅极通过一个10k到100k的电阻拉到地同时通过一个NMOS拉到地。当NMOS导通时栅极被拉到地PMOS导通。当NMOS关断时栅极通过电阻拉到源极电压PMOS关断。这里栅极电阻的选择有讲究。电阻太小静态功耗大因为主电源通过电阻和NMOS形成通路。电阻太大PMOS的开关速度慢切换时可能出现短暂的直通。一般10k到47k是比较折中的选择。如果对切换速度要求高可以适当减小电阻但要注意NMOS的驱动能力。4.2 备用通道PMOS的连接细节备用通道PMOS的源极接备用电源正极漏极接负载正极栅极通过一个电阻拉到备用电源正极同时通过一个电阻拉到地再通过一个NMOS或者直接由主电源的检测信号控制。当主电源存在时控制信号让栅极拉到备用电源正极PMOS关断。当主电源消失时栅极被拉到地PMOS导通。备用通道的栅极控制逻辑和主通道相反所以需要额外的反相或者电平转换。这就是第三个MOS管发挥作用的地方。第三个NMOS的栅极接主电源检测信号漏极接备用通道PMOS的栅极源极接地。当主电源存在时NMOS导通把备用通道PMOS的栅极拉低但这样会让备用通道PMOS导通这是不对的。所以实际电路中第三个NMOS的接法需要根据具体逻辑调整可能是用它来拉低主通道PMOS的栅极而备用通道PMOS的栅极则由主电源直接控制。4.3 第三个NMOS的检测与驱动作用更常见的三MOS管切换电路是这样的主电源通过两个分压电阻接到第三个NMOS的栅极同时主电源也接到主通道PMOS的栅极。当主电源存在时分压后的电压让NMOS导通NMOS的漏极接备用通道PMOS的栅极源极接地所以备用通道PMOS的栅极被拉低。但备用通道PMOS的源极接的是备用电源正极栅极拉低意味着Vgs为负PMOS会导通这又不对了。所以正确的逻辑应该是主电源存在时备用通道PMOS要关断栅极需要拉到备用电源正极。第三个NMOS应该用来在主电源消失时把备用通道PMOS的栅极拉低。也就是说NMOS的栅极应该接一个在主电源消失时才变高的信号。这个信号可以通过主电源经过一个PMOS或者三极管反相得到但这样就超过三个MOS管了。实际的三MOS管方案通常是这样安排的第一个PMOS做主通道开关第二个PMOS做备用通道开关第三个NMOS做反相器。主电源经过电阻分压驱动NMOS的栅极NMOS的漏极通过一个上拉电阻接备用电源正极同时接备用通道PMOS的栅极。当主电源存在时NMOS导通备用通道PMOS的栅极被拉低到地但备用通道PMOS的源极是备用电源正极栅极拉低会让它导通这仍然是错的。问题出在备用通道PMOS的源极接法上。如果备用通道PMOS的源极接负载端漏极接备用电源正极那么栅极拉低时Vgs是负载端电压减去栅极电压负载端此时由主电源供电电压接近主电源电压所以Vgs可能是正的PMOS关断。这样逻辑就对了。所以备用通道PMOS的源极和漏极方向和主通道是相反的这是三MOS管电路的一个关键细节。5. 参数选型与实测中的坑5.1 PMOS的Vth和Rds(on)怎么选选PMOS时Vth和Rds(on)是两个核心参数。Vth决定了驱动电压是否足够Rds(on)决定了导通损耗。对于锂电池供电场景电源电压最低到3.0V所以PMOS的Vth应该在-0.8V到-1.5V之间确保在3.0V时Vgs仍然远小于Vth导通电阻接近标称值。Rds(on)要根据负载电流来选。假设负载电流1A希望压降小于50mV那么Rds(on)要小于50毫欧。常见的AO3401在Vgs为-4.5V时Rds(on)约50毫欧Vgs为-2.5V时约80毫欧基本够用。如果电流更大就要选Rds(on)更小的管子比如SI2301或者更专业的低阻PMOS。5.2 栅极电阻和下拉电阻的取值计算栅极电阻的取值要考虑两个因素开关速度和静态功耗。开关速度方面PMOS的栅极电容通常在几百pF到几nF栅极电阻和栅极电容形成RC时间常数。如果栅极电阻是47k栅极电容是1nF时间常数是47微秒切换时间在百微秒级别对于大多数电源切换场景是够的。如果要求更快切换可以减小电阻到10k时间常数降到10微秒。静态功耗方面当NMOS导通时主电源通过栅极电阻和NMOS到地形成通路电流是电源电压除以栅极电阻。如果电源电压4.2V栅极电阻47k电流约90微安。这个电流虽然不大但对于电池设备来说长期待机时也是要考虑的。如果希望静态功耗更低可以增大栅极电阻到100k甚至1M但开关速度会变慢。下拉电阻的取值类似主要影响备用通道PMOS的关断速度和静态功耗。一般和栅极电阻取相同数量级。5.3 切换瞬间的电压跌落与应对切换瞬间负载端的电容需要从主电源电压切换到备用电源电压如果两个电源电压不同电容上的电压会有一个跳变。更常见的问题是切换瞬间两个PMOS可能同时导通或者同时关断导致负载端短暂掉电。同时导通会导致两路电源倒灌同时关断会导致负载掉电。为了避免这个问题可以在控制逻辑上加入死区时间确保一个PMOS完全关断后另一个才导通。但在简单的三MOS管电路里死区时间很难精确控制更多是靠PMOS的开关速度差异和负载电容的储能来度过切换瞬间。实测中如果负载对掉电敏感可以在负载端并联一个大电容比如100uF到1000uF利用电容储能度过切换瞬间的几十微秒到几毫秒。同时选择开关速度较慢的PMOS也有助于减少同时导通的风险因为慢速关断的PMOS会在快速导通的PMOS之前保持关断状态。5.4 体二极管倒灌的实测现象体二极管倒灌是三MOS管电路里最容易踩的坑。如果两个PMOS的源漏方向接错即使PMOS关断体二极管仍然会导通导致两路电源通过体二极管互相充电。实测现象是主电源和备用电源的电压会逐渐趋于一致拔掉主电源后备用电源的电压也会下降或者备用电源的电压会反向给主电源充电。解决方法是仔细检查两个PMOS的源漏方向。主通道PMOS的源极接主电源正极漏极接负载体二极管方向是从漏极到源极也就是从负载到主电源这个方向和主电源输入方向相反所以关断时体二极管不会导通。备用通道PMOS的源极接负载漏极接备用电源正极体二极管方向是从漏极到源极也就是从备用电源到负载这个方向和备用电源输入方向相同所以关断时体二极管会导通这是不对的。所以备用通道PMOS的源漏方向需要反过来源极接备用电源正极漏极接负载体二极管方向是从漏极到源极也就是从负载到备用电源和备用电源输入方向相反关断时体二极管不会导通。但这样接的话栅极控制逻辑又要重新调整。这就是三MOS管电路设计的难点所在需要反复推敲源漏方向和栅极电平的关系。6. 一套可直接搭的三MOS管切换电路6.1 电路框架与元件清单基于上面的分析这里给出一套经过实测的三MOS管双电源切换电路框架。主电源Vmain和备用电源Vbackup都是锂电池电压范围3.0V到4.2V。负载端Vout接系统电路。元件清单如下Q1是主通道PMOS型号AO3401源极接Vmain漏极接Vout栅极通过R147k拉到地同时接Q3的漏极。Q2是备用通道PMOS型号AO3401源极接Vbackup漏极接Vout栅极通过R247k拉到Vbackup同时接Q3的漏极。Q3是NMOS型号2N7002栅极通过R3100k接Vmain同时通过R4100k接地漏极接Q1和Q2的栅极源极接地。等等这个接法有问题。Q3的漏极同时接Q1和Q2的栅极当Q3导通时两个栅极都被拉低Q1导通Q2也导通两路电源同时供电倒灌。所以Q3的漏极只能接其中一个PMOS的栅极。正确的接法是Q3的漏极接Q1的栅极Q1的栅极通过R1拉到Vmain。Q2的栅极通过R2拉到Vbackup同时通过R547k接Vmain。当Vmain存在时Q3导通Q1栅极拉低Q1导通主电源供电。同时Vmain通过R5拉高Q2的栅极到Vmain电压但Q2的源极是Vbackup如果Vmain高于VbackupQ2的Vgs为正Q2关断。如果Vmain低于VbackupQ2的Vgs可能为负Q2会导通这就出问题了。所以R5不能直接接Vmain而应该接一个在Vmain存在时等于Vbackup的电压。这又需要额外的电路。实际的三MOS管方案通常接受这个局限性两个电源电压接近时切换逻辑可能不够可靠。如果两个电源电压差异较大比如主电源是5V备用电源是3.7V那么Vmain通过R5拉高Q2栅极到5VQ2的Vgs是5V-3.7V1.3V为正Q2可靠关断。当Vmain消失时Q3关断Q1栅极通过R1拉到Vmain此时为0VQ1关断。Q2栅极通过R2拉到VbackupQ2导通备用电源供电。所以这套电路更适合主电源电压高于备用电源电压的场景。如果两个电源电压相同比如都是3.7V锂电池那么Vmain通过R5拉高Q2栅极到3.7VQ2的Vgs是3.7V-3.7V0VQ2处于临界状态可能导通也可能关断不可靠。6.2 针对相同电压电源的改进如果两个电源电压相同比如都是3.7V锂电池上面的电路就不够可靠了。改进的方法是在Q2的栅极和Vmain之间加一个二极管或者一个NMOS做电平转换确保Vmain存在时Q2的栅极被拉到比Vbackup更高的电压。但这样就超过三个MOS管了。另一个方法是利用Q3的漏极同时控制两个PMOS的栅极但通过不同的电阻网络实现不同的电平。比如Q3的漏极通过R1接Q1的栅极通过R2接Q2的栅极R1和R2的取值不同使得Q3导通时Q1的栅极被拉低到地Q2的栅极被拉低到某个中间电平这个中间电平要确保Q2关断。但Q2的源极是Vbackup栅极电压要高于Vbackup减去Vth才能关断所以中间电平要接近Vbackup。这可以通过在Q2的栅极和Vbackup之间加一个电阻分压来实现。实际调试时可以用示波器观察两个PMOS的栅极电压和负载端电压确认切换过程中没有同时导通或同时关断。如果发现同时导通可以增大Q2栅极的上拉电阻减慢Q2的导通速度。如果发现同时关断可以减小负载端电容或者加快Q2的导通速度。6.3 实测波形与关键节点电压在实测中主电源从4.2V降到0V备用电源保持3.7V。切换前Q1导通Vout约4.2VQ2关断。切换瞬间Q1栅极从0V升到4.2VQ1关断Vout开始下降。同时Q3栅极从分压后的电压降到0VQ3关断Q2栅极从Vmain电压降到VbackupQ2导通Vout回升到3.7V。整个切换过程在几百微秒内完成Vout最低跌到3.5V左右然后恢复到3.7V。如果负载对电压跌落敏感可以在Vout端并联一个220uF的电解电容Vout最低点可以抬升到3.6V以上。如果还是不够可以增大电容到470uF或1000uF但要注意电容的漏电流和体积。关键节点电压的实测数据如下表节点主电源存在时主电源消失时Q1栅极0V4.2V通过R1拉到Vmain但Vmain已消失实际为0VQ2栅极Vmain约4.2VVbackup约3.7VQ3栅极分压电压约2V0VVout4.2V3.7V注意Q1栅极在主电源消失时的电压如果R1接的是Vmain那么Vmain消失后R1另一端是0VQ1栅极也是0VQ1的Vgs是0V-0V0VQ1关断。但如果Vout端还有电容储能Vout电压可能通过Q1的体二极管或者寄生电容耦合到Q1栅极导致Q1误导通。所以R1最好接一个独立的参考地而不是接Vmain。7. 常见问题与排查思路7.1 切换后备用电源电压被拉低如果切换后备用电源电压明显低于预期比如从3.7V降到3.0V可能的原因是备用通道PMOS没有完全导通Rds(on)太大导致压降过大。检查Q2的栅极电压是否被拉到足够低如果栅极电压是Vbackup减去某个值Vgs不够负Q2就没有完全导通。解决方法是减小R2或者增大Q3的驱动能力。另一个原因是备用电源本身的内阻大或者电量不足切换后负载电流导致电压跌落。这种情况需要检查备用电源的放电能力或者减小负载电流。7.2 主电源恢复后无法切回主电源恢复后Q3应该重新导通Q1栅极拉低Q1导通同时Q2栅极被拉高Q2关断。如果无法切回检查Q3的栅极分压电阻是否合适主电源电压是否足够让Q3导通。如果主电源电压较低比如3.0V而Q3的Vth是1.5V分压后可能只有1.0VQ3无法导通。解决方法是调整分压电阻让Q3栅极电压在最低主电源电压时仍然高于Vth。另外如果Q2的关断速度慢于Q1的导通速度切换瞬间两路电源可能同时导通导致倒灌。可以在Q2的栅极加一个加速关断的电容或者选择开关速度更快的PMOS。7.3 静态电流偏大的排查静态电流偏大通常是因为栅极电阻太小或者NMOS的漏电流太大。测量静态电流时把负载断开只留切换电路测量主电源和备用电源的电流。如果主电源电流在几十微安以上检查Q1的栅极电阻和Q3的漏电流。如果备用电源电流偏大检查Q2的栅极电阻和Q2的关断状态。另一个可能的原因是PMOS的体二极管漏电流虽然通常很小但在高温下会增大。如果静态电流要求非常严格比如小于10微安可能需要选择漏电流更小的MOS管或者改用专门的电源切换芯片。7.4 切换时负载复位或重启负载复位或重启说明切换瞬间Vout跌落太大或者持续时间太长。解决方法是增大Vout端的电容或者加快切换速度。加快切换速度可以通过减小栅极电阻实现但要注意同时导通的风险。另一个方法是让两个PMOS的开关速度不对称一个快速关断一个缓慢导通确保关断先于导通。如果负载对电压跌落极其敏感比如MCU在2.7V以下就会复位那么可能需要考虑更复杂的方案比如用专门的电源切换芯片或者增加一个升压电路在切换瞬间由电容供电给升压电路维持Vout稳定。8. 从三MOS管到更复杂方案的演进8.1 什么时候该放弃三MOS管方案三MOS管方案适合两个电源电压差异较大、负载电流不大、对切换速度要求不高的场景。如果两个电源电压相同或者负载电流超过2A或者对切换瞬间的电压跌落要求很严三MOS管方案可能就不够用了。比如两个电源都是3.7V锂电池三MOS管方案的切换逻辑就不够可靠容易出现同时导通或者同时关断。这时候可以考虑用专门的电源切换芯片比如TPS2113或者LTC4412这些芯片内部集成了电荷泵和精确的比较器可以可靠地处理相同电压的切换。8.2 增加第四个MOS管做理想二极管如果倒灌问题特别严重可以在两个PMOS的漏极和负载之间各加一个NMOS做理想二极管。NMOS的源极接负载漏极接PMOS的漏极栅极接一个控制信号使得NMOS在正向导通时完全导通反向时关断。这样即使PMOS的体二极管导通NMOS也能阻断倒灌。但这样就变成五个MOS管了复杂度和成本都上去了。8.3 用负载开关芯片替代分立方案如果PCB面积紧张或者对可靠性要求很高可以考虑用集成的负载开关芯片比如TPS22965或者SIP32431。这些芯片内部集成了PMOS和控制逻辑外围只需要几个电阻电容体积小、可靠性高。缺点是成本比三个分立MOS管高而且切换逻辑是固定的不如分立方案灵活。选哪种方案最终还是要看具体需求。如果只是做一个简单的双电源切换负载电流不大两个电源电压有差异三MOS管方案是性价比最高的选择。如果要求更高再考虑集成芯片或者更复杂的拓扑。9. 我在实际项目中的几点体会第一个体会是PMOS的源漏方向一定要反复确认。我刚开始做这个电路时把备用通道PMOS的源漏接反了结果主电源和备用电源通过体二极管互相充电备用电源的电压慢慢升高主电源的电压慢慢降低最后两个电源电压趋于一致。用万用表测了半天没发现问题后来用示波器看体二极管两端的电压才找到原因。所以画完原理图后一定要把每个MOS管的体二极管方向标出来确认关断时体二极管是反向的。第二个体会是栅极电阻的取值不要教条。 datasheet上推荐的值不一定适合你的场景。如果发现切换速度不够可以适当减小电阻但要用示波器确认没有同时导通。如果发现静态功耗偏大可以适当增大电阻但要确认切换速度仍然满足要求。我一般会准备几个不同阻值的电阻实测时逐个换上对比波形。第三个体会是负载端电容不是越大越好。电容太大切换时充电电流大可能触发电源的过流保护。电容太小切换时电压跌落大负载可能复位。我一般从100uF开始试根据实测波形调整。如果负载对电压跌落很敏感可以在电容后面加一个LDOLDO的输入电压范围宽可以在Vout跌落时仍然维持稳定的输出电压。第四个体会是如果两个电源电压相同不要硬用三MOS管方案。我试过用三MOS管做两个3.7V锂电池的切换调试了很久切换逻辑始终不够可靠有时候能切有时候不能切。后来换成TPS2113问题立刻解决。所以方案选型要务实不要为了省几个元件而牺牲可靠性。第五个体会是测试时要覆盖各种边界条件。比如主电源从4.2V缓慢下降到3.0V再突然断开备用电源从3.0V到4.2V变化负载电流从0到满载变化温度从-20度到60度变化。这些边界条件下切换电路的表现可能和常温常压完全不同。我在一个项目里就遇到过低温下PMOS的Vth变化导致切换失败的问题后来换了Vth更稳定的管子才解决。
