1、应用场景MOSFET并联使用主要应用于大功率场合。2、并联常见问题当MOSFET并联使用时由于每个器件特性参数以及每个MOSFET的电路布线布局之间不匹配在开关转换期间会导致电流不平衡最终导致热失衡而烧坏器件。3、为什么MOSFET适合并联使用图1图2由MOS特性曲线可知在器件温度范围内当MOSFET随温度升高负载电流下降同时Rds上升这间接实现被动均流遏制了并联时出现温度高的电流大的情况。见图1、图2.4、影响因素4.1 MOSFET 自身参数影响4.1.1CGS、CGD的影响总结1Cgs的影响主要在开通时刻的动态电流不均衡2Cgd的影响主要在开通时刻的动态电流不均衡和关断时的电流尖峰3从波形可以看出Cgd对并联均流影响更大4.1.2 VGSth的影响总结VGSth也是一个关键参数更低的VGSth将更快开通处理更多电流发热也更多。4.2 布局或参数不对称的影响布局或布线的差异假设1 cm铜轨的电感为~10 nH会造成寄生电感的不同。4.2.1漏极寄生电感、源极寄生电感的影响总结1漏极寄生电感影响较小2源极寄生电感影响较大寄生电感越大启动过程越慢4.2.2 驱动电阻的影响3驱动电阻越大启动过程越慢发热越大5、MOSFET并联使用建议1对称布置电路布线使各 MOSFET 的电气连接长度和路径一致减少寄生参数的差异尤其是源极的寄生电感的影响。2将MOSFET组装到一个散热片上使每个MOSFET的散热条件相同。3每个MOSFET使用一个外部栅极电阻该电阻阻值相等且外部驱动保持一样。4考虑到电流不平衡确保较大的电流容限。5使用同一型号同一批次的MOSFET6驱动电路应具有足够的驱动能力能够为并联的 MOSFET 提供足够的栅极电压和电流确保它们能够快速、可靠地导通和关断。6、参考文献大电流LV驱动应用中的并联MOSFET使用功率MOSFET 进行设计-如何避免常见问题和失效模式高功率中的功率 MOS 管并联应用指南
